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MKP89_IGBT吸收電容器

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MKP89
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自感小，內部溫升小。

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未找到相應參數組，請於後臺屬性模板中添加

自感小，內部溫升小。

廣泛應用於高壓高頻脈衝電路，適合作爲IGBT吸收電容。

參照標準Reference Standard

GB/T 17702，IEC 61071

氣候類別Climatic Category

40/85/56

額定電壓Rated Voltage

700Vdc/420Vac、900Vdc/450Vac、1000Vdc/500Vac、

1250Vdc/600Vac、1600Vdc/650Vac、2000Vdc/700Vac

工作溫度範圍(外殼)

 Operation Temperature Range(Case)

-40℃~105℃

(+85℃~+105℃：decreasing factor 1.25% per ℃for UNDC 85℃)

電容量Capacitance Range

0.1μF～9.0μF

電容量偏差Capacitance Tolerance

±5%(J)、±10%(K) (20℃, 1kHz)

耐電壓Voltage Proof

U=1.5UNDC（20℃，10s）

絕緣電阻Insulation Resistance

CR≤0.33μF，IR≥100 000MΩ

CR＞0.33μF，IR×C≥30 000s

(20℃, 100V, 1min)

損耗角正切Dissipation Factor

1kHz：Tan δ≤0.0005

工作壽命Operation Life Time

100 000 hours at UNDC,Θmax=70℃
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MKP89B_IGBT吸收電容器 (For PCB)
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無

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